IRLU2905ZPBF

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Parte di u fabricatore

IRLU2905ZPBF

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
IRLU2905ZPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):55 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:42A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:13.5mOhm @ 36A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 5 V
  • vgs (max):±16V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.57 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):110W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:IPAK (TO-251)
  • pacchettu / casu:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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