SIS862ADN-T1-GE3

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Parte di u fabricatore

SIS862ADN-T1-GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1362
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:TrenchFET® Gen IV
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:15.8A (Ta), 52A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:7.2mOhm @ 10A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1235 pF @ 30 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.6W (Ta), 39W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® 1212-8
  • pacchettu / casu:PowerPAK® 1212-8
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