SIR140DP-T1-RE3

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Parte di u fabricatore

SIR140DP-T1-RE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
5806
Datasheets in linea
SIR140DP-T1-RE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET® Gen IV
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):25 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:71.9A (Ta), 100A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:0.67mOhm @ 20A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
  • vgs (max):+20V, -16V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:8150 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SO-8
  • pacchettu / casu:PowerPAK® SO-8
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