NTMFS5H414NLT1G

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Parte di u fabricatore

NTMFS5H414NLT1G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
21000
Datasheets in linea
NTMFS5H414NLT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):40 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:35A (Ta), 210A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 20A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:75 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:4.55 pF @ 20 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.1W (Ta), 110W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN, 5 Leads
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