Name: TP65H035G4WS
Brand: Transphorm
SKU: TP65H035G4WS
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: TP65H035G4WS

U fabricatore: Transphorm

Descrizzione: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 503

Datasheets in linea: -

TP65H035G4WS Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:46.5A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:41mOhm @ 30A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4.8V @ 1mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 0 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 400 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):156W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
pacchettu / casu:TO-247-3

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