NVBG040N120SC1

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Parte di u fabricatore

NVBG040N120SC1

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
115
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:60A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):20V
  • rds on (max) @ id, vgs:56mOhm @ 35A, 20V
  • vgs (th) (max) @ id:4.3V @ 10mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:106 nC @ 20 V
  • vgs (max):+25V, -15V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1789 pF @ 800 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):357W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D2PAK-7
  • pacchettu / casu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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