SPD06N60C3ATMA1

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Parte di u fabricatore

SPD06N60C3ATMA1

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
5250
Datasheets in linea
SPD06N60C3ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:CoolMOS™
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:6.2A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:750mOhm @ 3.9A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.9V @ 260µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:620 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):74W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO252-3-1
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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