Name: IPD80R2K8CEATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD80R2K8CEATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPD80R2K8CEATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: IPD80R2K8CEATMA1 PDF

IPD80R2K8CEATMA1 Avvisu

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serie:CoolMOS™ CE
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):800 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.9A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.9V @ 120µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 100 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):42W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO252-3
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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