HUF76609D3ST

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Parte di u fabricatore

HUF76609D3ST

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
10372500
Datasheets in linea
HUF76609D3ST PDF
Inchiesta
  • serie:UltraFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:10A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:160mOhm @ 10A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
  • vgs (max):±16V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:425 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):49W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-252AA
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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