Name: FQD4N25TM-WS
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQD4N25TM-WS
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: FQD4N25TM-WS

U fabricatore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descrizzione: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 10000

Datasheets in linea: FQD4N25TM-WS PDF

FQD4N25TM-WS Avvisu

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serie:QFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):250 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:5.6 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D-Pak
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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CSD16570Q5B Texas	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON	In magazinu: 82500 In ordine: 82500	$40.70000