STD9HN65M2

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Parte di u fabricatore

STD9HN65M2

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
STD9HN65M2 PDF
Inchiesta
  • serie:MDmesh™ M2
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.5A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:820mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:11.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:325 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):60W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DPAK
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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