FDB6021P

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Parte di u fabricatore

FDB6021P

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
22055
Datasheets in linea
FDB6021P PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:28A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:30mOhm @ 14A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.89 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):37W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-65°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263AB
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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