STP8N120K5

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Parte di u fabricatore

STP8N120K5

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
384
Datasheets in linea
STP8N120K5 PDF
Inchiesta
  • serie:MDmesh™ K5
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:6A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:2Ohm @ 2.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 100µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:13.7 nC @ 10 V
  • vgs (max):-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:505 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):130W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220
  • pacchettu / casu:TO-220-3
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