SCT10N120H

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Parte di u fabricatore

SCT10N120H

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
33428
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:12A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):20V
  • rds on (max) @ id, vgs:690mOhm @ 6A, 20V
  • vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 20 V
  • vgs (max):+25V, -10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 400 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):150W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:H2Pak-2
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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