FGH50N6S2D

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Parte di u fabricatore

FGH50N6S2D

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT 600V 75A TO247-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
3000
Datasheets in linea
FGH50N6S2D PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Last Time Buy
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):75 A
  • current - collector pulsed (icm):240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 30A
  • putenza - max:463 W
  • scambià energia:260µJ (on), 250µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:70 nC
  • td (on/off) @ 25°c:13ns/55ns
  • cundizione di prova:390V, 30A, 3Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):55 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
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