NTMFD1D4N02P1E

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Parte di u fabricatore

NTMFD1D4N02P1E

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 20V 8PQFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):25V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA, 2V @ 800µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
  • putenza - max:960mW (Ta), 1W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerWDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-PQFN (5x6)
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