EPC2103

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Parte di u fabricatore

EPC2103

U fabricatore
EPC
Descrizzione
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
3973
Datasheets in linea
EPC2103 PDF
Inchiesta
  • serie:eGaN®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • funzione fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):80V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:28A
  • rds on (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 20A, 5V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 7mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:6.5nC @ 5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:760pF @ 40V
  • putenza - max:-
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:Die
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Die
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