IRF7309PBF

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Parte di u fabricatore

IRF7309PBF

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
P-CHANNEL POWER MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
2000
Datasheets in linea
IRF7309PBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A, 3A
  • rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 2.4A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:25nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:520pF @ 15V
  • putenza - max:1.4W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
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