NSVMMUN2217LT1G

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Parte di u fabricatore

NSVMMUN2217LT1G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
NSVMMUN2217LT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN - Pre-Biased
  • current - collector (ic) (max):100 mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50 V
  • resistenza - basa (r1):4.7 kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):10 kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:35 @ 5mA, 10V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:250mV @ 1mA, 10mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA
  • freccia - transizione:-
  • putenza - max:246 mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
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