NSBC115EDXV6T1G

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Parte di u fabricatore

NSBC115EDXV6T1G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
Serie
-
In magazinu
8948000
Datasheets in linea
NSBC115EDXV6T1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50V
  • resistenza - basa (r1):100kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):100kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA
  • freccia - transizione:-
  • putenza - max:500mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-563
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