CY14B116N-BA25XI

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Parte di u fabricatore

CY14B116N-BA25XI

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA
categuria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
In magazinu
36
Datasheets in linea
CY14B116N-BA25XI PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di memoria:Non-Volatile
  • formatu di memoria:NVSRAM
  • tecnulugia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • dimensione di memoria:16Mb (1M x 16)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di u clock:-
  • scrive u tempu di ciclu - parolla, pagina:25ns
  • tempu d'accessu:25 ns
  • tensione - supply:2.7V ~ 3.6V
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:60-LFBGA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:60-FBGA (10x18)
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