IRFR210BTM_FP001

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Parte di u fabricatore

IRFR210BTM_FP001

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
IRFR210BTM_FP001 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.7A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 1.35A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:225 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 26W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D-Pak
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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