FQP4P25

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Parte di u fabricatore

FQP4P25

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
FQP4P25 PDF
Inchiesta
  • serie:QFET®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):250 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:2.1Ohm @ 2A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:420 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):75W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220-3
  • pacchettu / casu:TO-220-3
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