PHM18NQ15T,518

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Parte di u fabricatore

PHM18NQ15T,518

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
MOSFET N-CH 150V 19A 8HVSON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
PHM18NQ15T,518 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):150 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:19A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:75mOhm @ 12A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:26.4 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1150 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):62.5W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-HVSON (6x5)
  • pacchettu / casu:8-VDFN Exposed Pad
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