NVD6416ANLT4G-001

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Parte di u fabricatore

NVD6416ANLT4G-001

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:19A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:74mOhm @ 10A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1000 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):71W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DPAK-3
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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