2SC3332S-AA-SA

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Parte di u fabricatore

2SC3332S-AA-SA

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu
Serie
-
In magazinu
964
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • current - collector (ic) (max):700 mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):160 V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:400mV @ 25mA, 250mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):100nA (ICBO)
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:140 @ 100mA, 5V
  • putenza - max:700 mW
  • freccia - transizione:120MHz
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:3-NP
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