2SD1618T-TD-E

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Parte di u fabricatore

2SD1618T-TD-E

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
0.7A, NPN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu
Serie
-
In magazinu
154850
Datasheets in linea
2SD1618T-TD-E PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • current - collector (ic) (max):700 mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):15 V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:80mV @ 10mA, 100mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):100nA (ICBO)
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 50mA, 2V
  • putenza - max:500 mW
  • freccia - transizione:250MHz
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-243AA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PCP
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