NJVMJD210T4G

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Parte di u fabricatore

NJVMJD210T4G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, PN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu
Serie
-
In magazinu
57023
Datasheets in linea
NJVMJD210T4G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:PNP
  • current - collector (ic) (max):5 A
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):25 V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:1.8V @ 1A, 5A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):100nA (ICBO)
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:45 @ 2A, 1V
  • putenza - max:1.4 W
  • freccia - transizione:65MHz
  • temperatura di funziunamentu:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DPAK
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