MJE802G

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Parte di u fabricatore

MJE802G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
MJE802G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN - Darlington
  • current - collector (ic) (max):4 A
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):80 V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:2.5V @ 30mA, 1.5A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):100µA
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:750 @ 1.5A, 3V
  • putenza - max:40 W
  • freccia - transizione:-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-225AA, TO-126-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-225AA
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