BC857SH6327

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Parte di u fabricatore

BC857SH6327

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays
Serie
-
In magazinu
9000
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:2 PNP (Dual)
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):45V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:650mV @ 5mA, 100mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):15nA (ICBO)
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 2mA, 5V
  • putenza - max:250mW
  • freccia - transizione:250MHz
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT363-6
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