EMZ1DXV6T1

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Parte di u fabricatore

EMZ1DXV6T1

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays
Serie
-
In magazinu
128000
Datasheets in linea
EMZ1DXV6T1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:NPN, PNP
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):60V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA (ICBO)
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 6V
  • putenza - max:500mW
  • freccia - transizione:180MHz, 140MHz
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-563
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