HN1C01FU-Y,LF

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Parte di u fabricatore

HN1C01FU-Y,LF

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays
Serie
-
In magazinu
5279
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:2 NPN (Dual)
  • current - collector (ic) (max):150mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 100mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):100nA (ICBO)
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 2mA, 6V
  • putenza - max:200mW
  • freccia - transizione:80MHz
  • temperatura di funziunamentu:125°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:US6
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