IXFT180N20X3HV

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Parte di u fabricatore

IXFT180N20X3HV

U fabricatore
Wickmann / Littelfuse
Descrizzione
MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
74330
Datasheets in linea
IXFT180N20X3HV PDF
Inchiesta
  • serie:HiPerFET™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:180A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:7.5mOhm @ 90A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 4mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:154 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:10300 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):780W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-268HV
  • pacchettu / casu:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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