Name: IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IMBG120R045M1HXTMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IMBG120R045M1HXTMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 1813

Datasheets in linea: -

IMBG120R045M1HXTMA1 Avvisu

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serie:CoolSiC™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
drain à a tensione di fonte (vdss):1.2 kV
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:47A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:63mOhm @ 16A, 18V
vgs (th) (max) @ id:5.7V @ 7.5mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 18 V
vgs (max):+18V, -15V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.527 nF @ 800 V
funzione fet:Standard
dissipazione di putenza (max):227W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO263-7-12
pacchettu / casu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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STB11NK40ZT4 STMicroelectronics	MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK	In magazinu: 4000000 In ordine: 4000000	$0.98000
FDPF12N50UT Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 10A TO220F	In magazinu: 5000 In ordine: 5000	$0.85660
IXTP96P085T Wickmann / Littelfuse	MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB	In magazinu: 3000 In ordine: 3000	$3.09000