Name: PMXB360ENEAZ
Brand: Nexperia
SKU: PMXB360ENEAZ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: PMXB360ENEAZ

U fabricatore: Nexperia

Descrizzione: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 277

Datasheets in linea: PMXB360ENEAZ PDF

PMXB360ENEAZ Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.1A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.7V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:4.5 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:130 pF @ 40 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):400mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DFN1010D-3
pacchettu / casu:3-XDFN Exposed Pad

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