Name: FQD3N30TF
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQD3N30TF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: FQD3N30TF

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 1970

Datasheets in linea: FQD3N30TF PDF

FQD3N30TF Avvisu

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serie:QFET®
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Obsolete
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):300 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.4A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.2Ohm @ 1.2A, 10V
vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D-Pak
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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