Name: IPD50N04S309ATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: IPD50N04S309ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPD50N04S309ATMA1

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 11005

Datasheets in linea: IPD50N04S309ATMA1 PDF

IPD50N04S309ATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):40 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:50A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 28µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.75 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):63W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO252-3
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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