SI7172ADP-T1-RE3

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Parte di u fabricatore

SI7172ADP-T1-RE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
302000
Datasheets in linea
SI7172ADP-T1-RE3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):7.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 10A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:19.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1110 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 125°C
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SO-8
  • pacchettu / casu:PowerPAK® SO-8
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