Name: BSC014N03MSGATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: BSC014N03MSGATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSC014N03MSGATMA1

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: PFET, 30A I(D), 30V, 0.00175OHM,

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 9161

Datasheets in linea: BSC014N03MSGATMA1 PDF

BSC014N03MSGATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:30A (Ta), 100A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:173 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:13 pF @ 15 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 139W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TDSON-8-1
pacchettu / casu:8-PowerTDFN

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