R6020JNZ4C13

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Parte di u fabricatore

R6020JNZ4C13

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
459
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):15V
  • rds on (max) @ id, vgs:234mOhm @ 10A, 15V
  • vgs (th) (max) @ id:7V @ 3.5mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 15 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):252W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247G
  • pacchettu / casu:TO-247-3
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