BSP315PL6327HTSA1

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Parte di u fabricatore

BSP315PL6327HTSA1

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
BSP315PL6327HTSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:SIPMOS®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.17A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:800mOhm @ 1.17A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 160µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:7.8 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:160 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.8W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT223-4
  • pacchettu / casu:TO-261-4, TO-261AA
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