IPN70R1K5CEATMA1

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Parte di u fabricatore

IPN70R1K5CEATMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1733
Datasheets in linea
IPN70R1K5CEATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:CoolMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):700 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.4A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 1A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 100µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:225 pF @ 100 V
  • funzione fet:Super Junction
  • dissipazione di putenza (max):5W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT223
  • pacchettu / casu:SOT-223-3
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