Name: NVTFS4C05NTAG
Brand: Rochester Electronics
SKU: NVTFS4C05NTAG
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: NVTFS4C05NTAG

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 17325

Datasheets in linea: NVTFS4C05NTAG PDF

NVTFS4C05NTAG Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:22A (Ta), 102A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.6mOhm @ 30A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.988 pF @ 15 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):3.2W (Ta), 68W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-WDFN (3.3x3.3)
pacchettu / casu:8-PowerWDFN

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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IRLML0060TRPBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23	In magazinu: 120000 In ordine: 120000	$0.06600
SIR846ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	In magazinu: 300000 In ordine: 300000	$4.65000