HUF76629D3S

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Parte di u fabricatore

HUF76629D3S

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
46400
Datasheets in linea
HUF76629D3S PDF
Inchiesta
  • serie:UltraFET™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:52mOhm @ 20A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
  • vgs (max):±16V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1285 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):110W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-252AA
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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