NTLJS7D2P02P8ZTAG

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Parte di u fabricatore

NTLJS7D2P02P8ZTAG

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
12000
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:7.9A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 10A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:26.7 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2790 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):860mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-PQFN (2x2)
  • pacchettu / casu:6-PowerWDFN
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