TK16A60W5,S4VX

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Parte di u fabricatore

TK16A60W5,S4VX

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
TK16A60W5,S4VX PDF
Inchiesta
  • serie:DTMOSIV
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:15.8A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:190mOhm @ 7.9A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.7V @ 1.5mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1350 pF @ 300 V
  • funzione fet:Super Junction
  • dissipazione di putenza (max):40W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220SIS
  • pacchettu / casu:TO-220-3 Full Pack
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