BSZ123N08NS3GATMA1

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Parte di u fabricatore

BSZ123N08NS3GATMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
300000
Datasheets in linea
BSZ123N08NS3GATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:10A (Ta), 40A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:12.3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 33µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1700 pF @ 40 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.1W (Ta), 66W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TSDSON-8
  • pacchettu / casu:8-PowerVDFN
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