APT58M50JU2

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Parte di u fabricatore

APT58M50JU2

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
APT58M50JU2 PDF
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 8™
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):500 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:58A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:65mOhm @ 42A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:340 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:10800 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):543W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-227
  • pacchettu / casu:SOT-227-4, miniBLOC
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