LND150N8-G

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Parte di u fabricatore

LND150N8-G

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
89250
Datasheets in linea
LND150N8-G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):500 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:30mA (Tj)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):0V
  • rds on (max) @ id, vgs:1000Ohm @ 500µA, 0V
  • vgs (th) (max) @ id:-
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:10 pF @ 25 V
  • funzione fet:Depletion Mode
  • dissipazione di putenza (max):1.6W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-89-3
  • pacchettu / casu:TO-243AA
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