Name: SPB03N60C3ATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: SPB03N60C3ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SPB03N60C3ATMA1

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 2000

Datasheets in linea: SPB03N60C3ATMA1 PDF

SPB03N60C3ATMA1 Avvisu

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serie:CoolMOS™
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Obsolete
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.2A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.9V @ 135µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):38W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO263-3-2
pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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